IRF530S
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | IRF530S |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 8.4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A (Tc) |
Grundproduktnummer | IRF530 |
IRF530S Einzelheiten PDF [English] | IRF530S PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
IR TO220
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
IR TO263
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
IR TO-263
IR D2-PAK
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
IR TO-263
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRF530SVishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|